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Traduzione in corso passo 20

Passo 20
Teardown update: We discovered some interesting chip changes inside a newer Droid Razr. They include: SanDisk SDIN5C1-16G NAND flash that replaces the Toshiba THGBM4G7D2GBAIE unit ELPIDA B8164B3PF-8D-F RAM takes place in the Samsung K3PE7E700M-XGC1 RAM location
  • Teardown update: We discovered some interesting chip changes inside a newer Droid Razr. They include:

  • SanDisk SDIN5C1-16G NAND flash that replaces the Toshiba THGBM4G7D2GBAIE unit

  • ELPIDA B8164B3PF-8D-F RAM takes place in the Samsung K3PE7E700M-XGC1 RAM location

  • Toshiba Y9AOA111418L8 replaces the Hynix H90H1GH51JMP chip that sits atop the TI OMAP 4430 processor

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