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Traduzione in corso passo 9

Passo 9
Thermal pads and cameras aside, let's get to those chips! On the front side of these motherboards (top: S10e, bottom: S10), we spot:
  • Thermal pads and cameras aside, let's get to those chips! On the front side of these motherboards (top: S10e, bottom: S10), we spot:

  • S10e: 128 GB Toshiba UFS NAND flash storage

  • S10: 512 GB Samsung eUFS NAND flash storage

  • Samsung K3UH7H70AM LPDDR4X layered over Qualcomm Snapdragon 855 SoC

  • Qualcomm WCD9341 audio codec

  • Qorvo 78062, likely a RF Fusion front-end module

  • Maxim MAX77705C PMIC

  • Skyworks 78160-5

Pad termici e fotocamere a parte, eccoci a arrivati ai chip! Sul lato anteriore di queste schede madri (in alto: S10e, in basso: S10), individuiamo:

S10e: memoria flash NAND Toshiba UFS da 128 GB

S10: memoria flash NAND Samsung eUFS da 512 GB

Samsung K3UH7H70AM LPDDR4X stratificato su SoC Qualcomm Snapdragon 855

Codec audio Qualcomm WCD9341

Qorvo 78062, probabilmente un modulo front-end RF Fusion

PMIC Maxim MAX77705C

Skyworks 78160-5

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